©2002 仙童 半导体 公司 rev. a4, 十一月 2002
SS9018
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 比率 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 30 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 15 V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 50 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 400 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
=100
µ
一个, i
E
=0 30 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
=1.0ma, i
B
=0 15 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=100
µ
一个, i
C
=0 5 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=12v, i
E
=0 50 nA
h
FE
发射级 截-止 电流 V
CE
=5v, i
C
=1.0ma 28 100 198
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=10ma, i
B
=1mA 0.5 V
C
ob
输出 电容 V
CB
=10v, i
E
=0
f=1MHz
1.3 1.7 pF
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
=5v, i
C
=5mA 700 1100 MHz
分类 D E F G H I
h
FE
28 ~ 45 39 ~ 60 54 ~ 80 72 ~ 108 97 ~ 146 132 ~ 198
SS9018
am/fm 放大器, local 振荡器 的
fm/vhf tuner
• 高 电流 增益 带宽 产品 f
T
=1.1 ghz (典型值)
1. 发射级 2. 根基 3. 集电级
至-92
1
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