S9018_集成电路资料查询网

©2002 仙童 半导体 公司
SS9018
rev. a4, 十一月 2002
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 输出 电容
图示 5. 电流 增益 带宽 产品
012345678910
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
B
= 80
µ
一个
I
B
= 70
µ
一个
I
B
= 60
µ
一个
I
B
= 50
µ
一个
I
B
= 40
µ
一个
I
B
= 30
µ
一个
I
B
= 20
µ
一个
I
B
= 10
µ
一个
I
B
= 90
µ
一个
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
110
10
100
1000
V
CE
= 5v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
1 10 100
0.1
1
10
f = 1mhz
I
E
= 0
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
0.1 1 10
100
1000
V
CE
= 5v
f
T
[mhz], 电流 增益-带宽 产品
I
C
[ma], 集电级 电流

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©2002 仙童半导体公司 SS9018 rev. a4, 十一月 2002 典型特性图示 1. 静态的典型的图示 2. 直流电流增益图示 3. 根基-发射级饱和电压集电级-发射级饱和电压图示 4. 输出电容图示 5. 电流增益带宽产品 012345678910 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 I B = 80 µ 一个 I B = 70 µ 一个 I B = 60 µ 一个 I B = 50 µ 一个 I B = 40 µ 一个 I B = 30 µ 一个 I B = 20 µ 一个 I B = 10 µ 一个 I B = 90 µ 一个 I C [ma], 集电级电流 V CE [v], 集电级-发射级电压 110 10 100 1000 V CE = 5v h FE , 直流电流增益 I C [ma], 集电级电流 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10 I C = 10 i B V CE (sat) V 是 (sat) V 是 (sat), v CE (sat)[v], 饱和电压 I C [ma], 集电级电流 1 10 100 0.1 1 10 f = 1mhz I E = 0 C ob [pf], 电容 V CB [v], 集电级-根基电压 0.1 1 10 100 1000 V CE = 5v f T [mhz], 电流增益-带宽产品 I C [ma], 集电级电流

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