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这 XP152A01D8MR 是 一个 p-频道 电源 MOS 场效应晶体管 和 低 在-
状态 阻抗 和 过激 高-速 切换 特性.
因为 高-速 切换 是 可能, 这 ic 能 是 efficiently 设置
因此 节省 活力.
这 小 sot-23 包装 制造 高 密度 挂载 可能.
低 在-状态 阻抗
: rds(在)=0.48
Ω
(vgs=-4.5v)
: rds(在)=0.80
Ω
(vgs=-2.5v)
过激 高-速 切换
运算的 电压
: -2.5v
高 密度 挂载
: sot-23
●
notebook pcs
●
cellular 和 可携带的 phones
●
在-板 电源 供应
●
li-ion 电池 系统
◆
p-频道 电源 mos 场效应晶体管
◆
dmos 结构
◆
低 在-状态 阻抗: 0.48
Ω
(最大值)
◆
过激 高-速 切换
◆
sot-23 包装
参数
流-源 电压
门-源 电压
流 电流 (直流)
流 电流 (脉冲波)
反转 流 电流
持续的 频道
电源 消耗 (便条)
频道 温度
存储 温度
Vdss
Vgss
Id
Idp
Idr
Pd
Tch
Tstg
-20
±
12
-0.5
-1.5
-0.5
0.5
150
-55~150
V
V
一个
一个
一个
W
:
:
标识 比率
单位
Ta=25
:
当 执行 在 一个 陶瓷的 pcb
便条:
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