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资料编号:5953
 
资料名称:0770_XP152A01D8MR
 
文件大小: 156.9K
   
说明
 
介绍:
Power MOS FET
 
 


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835
11
直流 特性
Ta=25
:
参数 单位
门-源 截-止 电压 vgs(止) -0.5
V
0.80.6id=-0.3a, vgs=-2.5v
门-源 泄漏 电流 Igss
µ
一个
±
10
向前 转移 admittance
(便条)
1S
身体 流 二极管
向前 电压
-0.8 -1.1 V
流 截-止 电流 Idss -10
µ
一个
Vf
vds=-20v, vgs=0v
id=-1ma, vds=-10v
id=-0.3a, vds=-10v
如果=-0.5a, vgs=0v
Vgs=
±
12v, vds=0v
流-源 在-状态
阻抗 (便条)
rds(在)
id=-0.3a, vgs=-4.5v
0.36 0.48
标识 情况 MAXMIN 典型值
参数 单位
反馈 电容 Crss
pF
输出 电容 Coss pF
输入 电容 Ciss
35
100
180 pF
vds=-10v, vgs=0v
f=1MHz
标识 情况 MAXMIN 典型值
动态 特性
Ta=25
:
有效的 在 脉冲波 测试.
便条:
Yfs
参数 单位
下降 时间 tf
ns
上升 时间 tr ns
转变-在 延迟 时间 td (在)
70
转变-止 延迟 时间 td (止)
ns
30
15
10ns
vgs=-5v, id=-0.3a
vdd=-10v
标识 情况 MAXMIN 典型值
切换 特性
Ta=25
:
参数 单位
rth (ch-一个)
热的 阻抗
(频道-ambience)
250
:
/w
执行 在 一个 陶瓷的 pcb
标识 情况 MAXMIN 典型值
热的 特性
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