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资料编号:601795
 
资料名称:SD5400CY
 
文件大小: 357.2K
   
说明
 
介绍:
HIGH SPEED DMOS FET ANALOG SWITCHES AND SWITCH ARRAYS
 
 


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直线的 整体的 系统, 公司
4042 clipper ct.
fremont, ca 94538
电话: 510 490-9160
传真: 510 353-0261
3
推荐 为 这 输出. 自从 c
GD
< c
GS
这个 导致 较少 承担 injection 噪音 在 这
加载.
作 能 是 seen 从 计算数量 3a 和 3b, 这
身体-源 和 身体-流pn 汇合处 应当
是 保持 反转 片面的 在 所有 时间-否则,
信号 修剪 和 甚至 设备 损坏 将
出现 如果 unlimited 电流是 允许 至 流动.
身体 偏置 是 conveniently 设置, 在 大多数 具体情况,
用 连接 这 基质 至 v-.
主要的 转变 特性
r
ds(在)
频道 在-阻抗 是 控制 用 这
electric 地方 呈现 横过 和 along 这
频道. 频道 阻抗 是 mainly
决定 用 这 门-至-源 电压
区别. 当 v
GS
超过 这 门槛
电压 (v
gs(th)
), 这 场效应晶体管 开始 至 转变 在.
numerous 产品 call 为 切换 一个 要点
至 地面. 在 这些 具体情况 这 源 和
基质 是 连接 至 地面 和 一个 门
电压 的 3 至 4 v 是sufficient 至 确保
切换 action.
和 一个 v
GS
在 excess 的 +5 v, 一个 低 阻抗
path exists 在 这 源 和 这 流.
这 电路 显示 在 图示 4 exhibits 这 r
ds(在)
vs. 相似物 信号 电压 relationship 显示 在
图示 5.
当 这 相似物 信号 excursion 是 大 (为
例子 ±10 v) 这 频道 在-阻抗
改变 作 一个 函数的 信号 水平的. 至
达到 最小 扭曲量, 这个 频道 在-
阻抗 调制 应当 是 保持 在 mind,
和 这 数量 的 resistance 在 序列 和 这
转变 应当 是 合适的 sized. 为 instance, 如果
这 转变 阻抗varies 在 20
30
在 这 信号 范围和 这 转变 是 在
序列 和 一个 200
加载, 这 结果 将 是 一个
总的
r = 4.5 %. whereas, 如果 这 加载 是 100
k
,
r 将 仅有的 是 0.01 %.
门槛 电压
这 门槛 电压 (v
gs(th)
) 是 一个 参数
使用 至 describe 如何 更电压 是 需要 至
initiate 频道 conduction. 图示 6 显示 这
适用 测试 configurati在. 在 这个 circuit, 它 是
worth noting, 为 instance, 那 如果 这 设备 有
一个 v
gs(th)
= 0.5 v, 当 v+ = 0.5 v, 这 频道
阻抗 将 是:
500k
A1
0.5v
R
频道
==
µ
R
GEN
R
L
C
L
G
D
B
S
V
O
-10 v
20 v = 在
-10 v = 止
转变 输入
V
S
= ±10 v
转变
输出
控制
输入
图示 4. 正常的 转变配置 为 一个 ±10
v 相似物 转变
200
160
120
80
40
0
-10 -5 0 5 10 15
V
S
(v)
r
ds(在)
(
)
(一个)
(b)
(c)
(一个) v
身体
= -10 v, v
= 20 v
(b) v
身体
= -10 v, v
= 15 v
(c) v
身体
= 0 v, v
= 20 v
图示 5. 在 阻抗 特性
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