直线的 整体的 系统, 公司
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自从 这些 dmos 设备 是 asymmetrical
1
,
这 承担 injected 在 这 s 和 d terminals 是
不同的. 典型 parasitic capacitances 是 在
这 顺序 的 0.2 pf 为 c
DG
和 1.5 pf 为 c
SG
.
另一 因素 那 influences 这 数量 的
承担 injected 是 这 振幅 的 这 门-
电压 excursion. th是 是 一个 直接地
均衡的 relationship: 这 大 这
excursion, 这 大 这injected 承担. 这个
能 是 seen 用 comparing 曲线 (一个) 和 (c) 在
图示 9. 一个 其它 variable 至 考虑 是 这
比率 的 门-电压 改变. 大 amounts 的
承担 是 injected 当faster 上升 和 下降
时间 是 呈现 在 这 门. 这个 是 显示 用
曲线 (一个) 和 (b) 在 图示 9.
切换 尖刺 出现 在 转变 转变-在 作 好
作 转变-止 时间. 当 这 转变 转变 在, 这
承担 injection 效应 是 使减少到最低限度 用 这
通常地 低 信号-源 阻抗. 这个 低
1
这 碎片 geometry 是 此类 那 非-完全同样的 行为
occurs 当 这 源 和流 terminals 是 使反转
在 一个 电路.
阻抗 tends 至 生产 一个 迅速 decay 的 这
extra 承担 introduced 在 这 频道. 在 转变-
止, 不管怎样, 这 injected 承担 might 变为
贮存 在 一个 抽样 电容 和 create 补偿
和 errors. 这些 errors 将 有 一个 巨大
那 是 inversely 均衡的 至 这 巨大
的 这 支持 电容.
图示 9 illustrates 一些 典型 承担
injection 特性.图示 10 显示 一些
的 这 相应的 波形. 这 dmos
fets, 因为 的 它们的 固有的 低 parasitic
capacitances, 生产 非常 低 承担 injection
当 对照的 至 其它 相似物 switches
(pmos, cmos, jfet, bifet 等.). still, 当
这 补偿 创建 是 unacceptable, 承担
injection 补偿 技巧 exist 那
eliminate 或者 降低 它们. 这 解决方案
basically 组成 的 injecting 另一 承担 的
equal 振幅 但是 opposite 极性 在 这 时间
当 这 转变 转变 止.
止-分开 和 串扰
这 直流 在-状态 阻抗 是 典型地 30
Ω
和
这 止-状态 阻抗 是 典型地 10
10
Ω
,
这个 结果 在 一个 止-状态 至 在-状态
阻抗 比率 在 excess 的 10
8
. 不管怎样, 为
video 和 vhf 切换 产品, 这
upper usable 频率 限制 是 决定 用
如何 更 的 这 incoming 信号 是 结合
通过 这 parasitic capacitances 和 呈现 在
这 转变 输出
─
当 ideally 非 信号
应当 呈现 那里 在 这 止 状态.
止-分开 是 定义 用 这 formula:
在
输出
V
V
20log (db)分开 -止
=
当 一些 相似物 switches 是
同时发生地 正在 使用 至 控制 高
频率 信号, 串扰 变为 一个 非常
重要的 典型的.为 video 产品,
这 偏离 信号 结合 通过 parasitic
D
C
H
q = c
H
x
∆
V
S
G
∆
V
0
-2
-4
-6
-8
-10
-10 -5 0 5 10
V
S
(v)
∆
q (pc)
(1)
(2)
(c)
(b)
(一个)
(一个) v
G
= 10 v, t
f
= 0.3 v/
µ
s
(b) v
G
= 10 v, t
f
= 0.03 v/
µ
s
(c) v
G
= 0, -10 v, t
f
= 0.3 v/
µ
s
图示 9. sd5000 承担 injection
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