首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:602950
 
资料名称:MC33742SDWR2
 
文件大小: 1087.41K
   
说明
 
介绍:
System Basis Chip (SBC) with Enhanced High-Speed CAN Transceiver
 
 


: 点此下载
  浏览型号MC33742SDWR2的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号MC33742SDWR2的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号MC33742SDWR2的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号MC33742SDWR2的Datasheet PDF文件第7页
7

8
浏览型号MC33742SDWR2的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号MC33742SDWR2的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号MC33742SDWR2的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号MC33742SDWR2的Datasheet PDF文件第12页
12
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
33742 motorola 相似物 整体的 电路 设备 数据
8
静态的 电的 characteristics (持续)
特性 指出 下面 情况 4.75 V
V2
5.25 v, 5.5 V
V
SUP
18 v, 和 -40
°
C
T
一个
125
°
c. 典型 值 指出
反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
=25
°
c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
V
DD
终端 (持续)
(便条 18)
线条 规章制度 (i
DD
= 10 毫安, 电容 = 47
µ
f tantalum 在 v
DD
)
9.0 v < v
SUP
< 18 V
5.5 v < v
SUP
< 27 V
V
LR
5.0
10
25
25
mV
加载 规章制度 (电容 = 47
µ
f tantalum 在 v
DD
)
1.0 毫安 < i
DD
< 200 毫安
V
LD
25 75
mV
热的 稳固
V
SUP
= 13.5 v, i
DD
= 100 毫安(便条 19)
V
therm-s
–3050
mV
V
DD
终端 在 停止 模式
(便条 18)
V
DD
输出 电压
I
DD
2.0 毫安
I
DD
10 毫安
V
DDSTOP
4.75
4.75
5.0
5.0
5.25
5.25
V
I
DD
输出 电流 至 wake-向上
I
dds-wu
10 17 25 毫安
重置 门槛
可选择的 用 spi, default 值 之后 重置, 位 值 0
可选择的 用 spi, 位 值 1
V
RST
-停止
4.5
4.1
4.6
4.2
4.7
4.3
V
线条 规章制度 (电容 = 47
µ
f tantalum 在 v
DD
)
5.5 v < v
SUP
< 27 v, i
DD
= 2.0 毫安
V
lr-停止
–5.025
mV
加载 规章制度 (电容 = 47
µ
f tantalum 在 v
DD
)
1.0 毫安 < i
DD
< 10 毫安
V
ld-停止
–1575
mV
v2 追踪 电压 调整器
(便条 20)
v2 输出 电压 (电容 = 10
µ
f tantalum 在 v2)
2.0 毫安
I
2
200 毫安, 5.5 v < v
SUP
< 27 V
V
2
0.99 1.0 1.01
V
DD
I
2
输出 电流 (为 信息 仅有的)
取决于 在 外部 ballast 晶体管
I
2
200
毫安
v2 控制 驱动 电流 能力(便条 21)
worst 情况 在 t
J
= 125°c
I
2CTRL
0–10
毫安
v2low 标记 门槛
V
2LTH
3.75 4.0 4.25 V
注释
18. I
DD
是 这 总的 调整器 输出 电流. v
DD
规格 和 外部 电容. 稳固 必要条件: 电容 > 47
µ
f, 等效串联电阻 < 1.3
(tantalum 电容). 在 重置, 正常的 要求, normal 和 备用物品 模式, measures 和 电容 = 47
µ
f tantalum.
19. 有保证的 用 描绘 和 设计;不管怎样, 它 是 不 生产 测试.
20. v2 规格 和 外部 capacitor. 稳固 必要条件: 电容 > 42
µ
f 和 等效串联电阻 < 1.3
(tantalum 电容), 外部 电阻
在 根基 和 发射级 必需的. 度量 conditions: ballast 晶体管 mjd32c, 电容 > 10
µ
f tantalum, 2.2 k
电阻
在 根基 和 发射级 的 ballast 晶体管.
21. 有保证的 电流 能力 的 这 v2ctrl 终端 是 10 毫安. 电流 将 是 高等级的. 非 起作用的 限制 是 提供.
F
r
e
e
s
c
一个
l
e
S
e
m
i
c
o
n
d
u
c
t
o
r
,
I
freescale 半导体, 公司
为 更多 信息 在 这个 产品,
go 至: www.freescale.com
n
c
.
.
.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com