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avalanche  坚毅的  技术
坚毅的  门  oxide  技术
更小的  输入  电容
改进  门  承担
扩展  safe  运行  范围
更小的  泄漏  电流  :  -10
µ
一个 (最大值.)  @  v
DS
= -200v
低 r
ds(在)
:  0.581
Ω
(典型值.)
先进的  电源  场效应晶体管
热的  阻抗
接合面-至-情况
情况-至-下沉
接合面-至-包围的
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
o
c/w
典型的 最大值 单位标识 典型值
特性
绝对  最大  比率
流-至-源 电压
持续的  流  电流  (t
C
=25
o
c)
持续的  流  电流  (t
C
=100
o
c)
流  电流-搏动
门-至-源  电压
单独的  搏动  avalanche  活力
avalanche  电流
repetitive  avalanche  活力
顶峰  二极管  恢复  dv/dt
总的  电源  消耗  (t
C
=25
o
c)
直线的  减额  因素
运行  接合面  和
存储  温度  范围
最大  含铅的  温度  为  焊接
目的,  1/8“从  情况  为  5-秒
典型的 值 单位标识
I
DM
V
GS
E
作
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, t
STG
T
L
一个
V
mJ
一个
mJ
v/ns
W
w/
o
C
一个
o
C
V
DSS
V
至-220
1.门  2. 流  3. 源
3
2
1
SFP9630
BV
DSS
=  -200 v
R
ds(在)
=  0.8
Ω
I
D
=  -6.5 一个
-200
-6.5
-4.0
-26
563
-6.5
7.0
-5.0
70
0.56
- 55  至  +150
300
1.79
--
62.5
--
0.5
--
O
1
O
2
O
3
O
1
O
1
30
+
_
©1999 仙童 半导体 公司
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avalanche 坚毅的技术坚毅的门 oxide 技术更小的输入电容改进门承担扩展 safe 运行范围更小的泄漏电流 : -10 µ 一个 (最大值.) @ v DS = -200v 低 r ds(在) : 0.581 Ω (典型值.) 先进的电源场效应晶体管热的阻抗接合面-至-情况情况-至-下沉接合面-至-包围的 R θ JC R θ CS R θ JA o c/w 典型的最大值单位标识典型值特性绝对最大比率流-至-源电压持续的流电流 (t C =25 o c) 持续的流电流 (t C =100 o c) 流电流-搏动门-至-源电压单独的搏动 avalanche 活力 avalanche 电流 repetitive avalanche 活力顶峰二极管恢复 dv/dt 总的电源消耗 (t C =25 o c) 直线的减额因素运行接合面和存储温度范围最大含铅的温度为焊接目的, 1/8“从情况为 5-秒典型的值单位标识 I DM V GS E 作 I AR E AR dv/dt I D P D T J , t STG T L 一个 V mJ 一个 mJ v/ns W w/ o C 一个 o C V DSS V 至-220 1.门 2. 流 3. 源 3 2 1 SFP9630 BV DSS = -200 v R ds(在) = 0.8 Ω I D = -6.5 一个 -200 -6.5 -4.0 -26 563 -6.5 7.0 -5.0 70 0.56 - 55 至 +150 300 1.79 -- 62.5 -- 0.5 -- O 1 O 2 O 3 O 1 O 1 30 + _ ©1999 仙童半导体公司 rev. b

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