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资料编号:605159
 
资料名称:SFP9630
 
文件大小: 248.61K
   
说明
 
介绍:
Advanced Power MOSFET
 
 


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p-频道
电源 场效应晶体管
电的 特性
(t
C
=25
o
c 除非 否则 指定)
流-源 损坏 电压
损坏 电压 温度 coeff.
门 门槛 电压
门-源 泄漏 , 向前
门-源 泄漏 , 反转
典型的标识
最大值 单位典型值最小值 测试 情况
静态的 流-源
在-状态 阻抗
向前 跨导
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
总的 门 承担
门-源 承担
门-流( Miller) 承担
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
BV
DSS
bv/
T
J
V
gs(th)
R
ds(在)
I
GSS
I
DSS
V
v/
o
C
V
nA
µ
一个
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0v,i
D
=-250
µ
一个
I
D
=-250
µ
一个
看 图 7
V
DS
=-5v,i
D
=-250
µ
一个
V
GS
=-30v
V
GS
=30V
V
DS
=-200v
V
DS
=-160v,t
C
=125
o
C
V
GS
=-10v,i
D
=-3.3a
V
DS
=-40v,i
D
=-3.3a
V
DD
=-100v,i
D
=-6.5a,
R
G
=12
看 图 13
V
DS
=-160v,v
GS
=-10v,
I
D
=-6.5a
看 图 6 &放大; 图 12
流-至-源 泄漏 电流
V
GS
=0v,v
DS
=-25v,f =1mhz
看 图 5
源-流 二极管 比率 和 特性
持续的 源 电流
搏动-源 电流
二极管 向前 电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
典型的标识 最大值 单位典型值最小值 测试 情况
--
--
--
--
--
一个
V
ns
µ
C
integral 反转 pn-二极管
在 这 场效应晶体管
T
J
=25
o
c,i
S
=-6.5a,v
GS
=0V
T
J
=25
o
c,i
F
=-6.5a
di
F
/dt=100a/
µ
s
O
4
O
4
O
5
O
4
O
4
O
5
O
4
O
1
O
4
SFP9630
-200
--
-2.0
--
--
--
--
--
-0.17
--
--
--
--
--
125
49
14
22
41
17
29
5.8
13.6
--
--
-4.0
-100
100
-10
-100
0.8
--
965
185
75
35
55
90
45
36
--
--
4.2
740
--
--
--
160
0.96
-6.5
-26
-5.0
--
--
注释 ;
repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度
l=20mh, i
=-6.5a, v
DD
=-50v, r
G
=27
*
, 开始 t
J
=25
o
C
I
SD
-6.5a, di/dt 400a/
µ
s, v
DD
BV
DSS
, 开始 t
J
=25
o
C
脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度 = 250
µ
s, 职责 循环 2%
essentially 独立 的 运行 温度
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
<
_
<
_
<
_
<
_
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