初步的
SGP02N120
sgb02n120, sgd02n120
电源 半导体
1 三月-00
快 s-igbt 在 npt-技术
G
C
E
•
40% 更小的
E
止
对照的 至 previous 一代
•
短的 电路 承受 时间 – 10
µ
s
•
设计 为:
- 发动机 控制
- 反相器
- smps
•
npt-技术 提供:
- 非常 tight 参数 分发
- 高 强壮, 温度 稳固的 behaviour
- 并行的 切换 能力
类型
V
CE
I
C
E
止
T
j
包装 订货 代号
SGP02N120 1200V 2A 0.11mj
150
°
C
至-220ab q67040-s4270
SGB02N120 至-263ab(d2pak) q67040-s4271
SGD02N120 至-252aa(dpak) q67040-s4269
SGI02N120 至-262 q67040-s4291
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 V
直流 集电级 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
C
6.2
2.8
搏动 集电级 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Cpuls
9.6
转变 止 safe 运行 范围
V
CE
≤
1200v,
T
j
≤
150
°
C
-
9.6
一个
门-发射级 电压
V
GE
±
20
V
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
C
= 2a,
V
CC
= 50v,
R
GE
= 25
Ω
, 开始 在
T
j
= 25
°
C
E
作
10 mJ
短的 电路 承受 时间
1)
V
GE
= 15v, 100v
≤
V
CC
≤
1200v,
T
j
≤
150
°
C
t
SC
10
µ
s
电源 消耗
T
C
= 25
°
C
P
tot
62 W
运行 接合面 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-55...+150
焊接 温度, 1.6mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s - 260
°
C
1)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.
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