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初步的
SGP02N120
sgb02n120, sgd02n120
电源 半导体
3 三月-00
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=25
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-2330
上升 时间
t
r
-1621
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 260 340
下降 时间
t
f
-6180
ns
转变-在 活力
E
在
- 0.16 0.21
转变-止 活力
E
止
- 0.06 0.08
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=25
°
c,
V
CC
=800v,
I
C
=2a,
V
GE
=15v/0v,
R
G
=91
Ω
,
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
- 0.22 0.29
mJ
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=150
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-2631
上升 时间
t
r
-1417
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 290 350
下降 时间
t
f
- 85 102
ns
转变-在 活力
E
在
- 0.27 0.33
转变-止 活力
E
止
- 0.11 0.15
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=150
°
C
V
CC
=800v,
I
C
=2a,
V
GE
=15v/0v,
R
G
=91
Ω
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
- 0.38 0.48
mJ

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初步的 SGP02N120 sgb02n120, sgd02n120 电源半导体 3 三月-00 切换典型的, inductive 加载, 在 T j =25 ° C 值参数标识情况最小值典型值最大值单位 igbt 典型的转变-在延迟时间 t d(在) -2330 上升时间 t r -1621 转变-止延迟时间 t d(止) - 260 340 下降时间 t f -6180 ns 转变-在活力 E 在 - 0.16 0.21 转变-止活力 E 止 - 0.06 0.08 总的切换活力 E ts T j =25 ° c, V CC =800v, I C =2a, V GE =15v/0v, R G =91 Ω , 活力 losses 包含 “tail” 和二极管反转恢复. - 0.22 0.29 mJ 切换典型的, inductive 加载, 在 T j =150 ° C 值参数标识情况最小值典型值最大值单位 igbt 典型的转变-在延迟时间 t d(在) -2631 上升时间 t r -1417 转变-止延迟时间 t d(止) - 290 350 下降时间 t f - 85 102 ns 转变-在活力 E 在 - 0.27 0.33 转变-止活力 E 止 - 0.11 0.15 总的切换活力 E ts T j =150 ° C V CC =800v, I C =2a, V GE =15v/0v, R G =91 Ω 活力 losses 包含 “tail” 和二极管反转恢复. - 0.38 0.48 mJ

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