Si1024X
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 71170
s-03104
—
rev. 一个, 08-二月-01
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个
0.45 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
4.5
V
0.5
1.0
一个
V
DS
= 16 v, v
GS
= 0 v 0.3 100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 16 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C
5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 4.5 v 700 毫安
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 600 毫安 0.41 0.70
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 500 m 一个 0.53 0.85
ds(在)
V
GS
= 1.8 v, i
D
= 350 m 一个 0.70 1.25
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 10
v,I
D
= 400 毫安
1.0 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 150 毫安, v
GS
= 0 v 0.8 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
750
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 10 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 250 毫安
75
pC
门-流 承担 Q
gd
225
转变-在 时间 t
在
V
DD
= 10 v, r
L
= 47
10
转变-止 时间 t
止
V
DD
= 10 v, r
L
= 47
I
D
200 毫安, v
GEN
= 4.5 v, r
G
= 10
36
ns
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
0
200
400
600
800
1000
1200
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
V
GS
= 5 thru 1.8 v
T
C
=
–
55
C
125
C
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
–
流-至-源 电压 (v)
–
流 电流 (一个)I
D
V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
1 v
I
D
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