Si1024X
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71170
s-03104—rev. 一个, 08-二月-01
www.vishay.com
1
双 n-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(毫安)
0.70 @ v
GS
= 4.5 v
600
20
0.85 @ v
GS
= 2.5 v 500
1.25 @ v
GS
= 1.8 v 350
非常 小 footprint
高-一侧 切换
低 在-阻抗: 0.7
低 门槛: 0.8 v (典型值)
快 swtiching 速: 10 ns
1.8-v 运作
门-源 静电释放 保护
使容易 在 驱动 switches
低 补偿 (错误) 电压
低-电压 运作
高-速 电路
低 电池 电压 运作
驱动器: 接转, solenoids, lamps,
hammers, 显示, memories
电池 运作 系统
电源 供应 转换器 电路
加载/电源 切换 cell phones, pagers
标记 代号: c
顶 视图
3
1
D
2
G
2
S
1
52
4
6
D
1
S
2
G
1
sot-563
sc-89
参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
20
门-源 电压 V
GS
6
V
T
一个
= 25
C
515 485
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
370 350
搏动 流 电流
b
I
DM
650
毫安
持续的 源 电流 (二极管 传导) I
S
450 380
T
一个
= 25
C
280 250
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
145 130
mW
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
门-源 静电释放 比率 (hbm, 方法 3015) 静电释放 2000 V
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
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