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资料编号:607645
 
资料名称:SI1025X
 
文件大小: 47.5K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si1025X
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
2
文档 号码: 71433
s-03518
rev. 一个, 23-apr-01



参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
=
10
一个
60
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
0.25 毫安
1
3.0
V
V
DS
= 0 v, v
GS
=
10 v
200
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
5 v
100
V
DS
=
50 v, v
GS
= 0 v
25
nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
50 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C
250
V
DS
=
10 v, v
GS
=
4.5 v
50
在-状态 流 电流
一个
I
D
(在)
V
DS
=
10 v, v
GS
=
10 v
600
毫安
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
25 毫安 8
流-源 在-阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
10 v, i
D
=
500 毫安 4
ds(在)
V
GS
=
10 v, i
D
=
500 毫安, t
J
= 125
C
6
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
10 v, i
D
=
100 毫安 100 mS
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
200 毫安, v
GS
= 0 v
1.4 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
1.7
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=
30 v, v
GS
=
15 v, i
D
500 毫安
0.26
nC
门-流 承担 Q
gd
0.46
输入 电容 C
iss
23
输出 电容 C
oss
V
DS
=
25 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz
10
pF
反转 转移 电容 C
rss
DS GS
5
切换
b,
c
转变-在 时间 t
V
DD
=
25 v, r
L
= 150
20
转变-止 时间 t
I
D
165 毫安, v
GEN
=
10 v
R
G
= 10
35
ns
注释
一个. 脉冲波 测试: pw
300 ms 职责 循环
2%.
b. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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