Si1025X
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71433
s-03518—rev. 一个, 23-apr-01
www.vishay.com
1
p-频道 60-v (d-s) 场效应晶体管
V
(br)dss(最小值)
(v)
r
ds(在)
(
)
V
gs(th)
(v) I
D
(毫安)
–60 4 @ v
GS
= –10 v –1 至 –3.0 –500
高-一侧 切换
低 在-阻抗: 4
Ω
低 门槛: –2 v (典型值)
快 切换 速: 20 ns (典型值)
低 输入 电容: 23 pf (典型值)
小型的 包装
门-源 静电释放 保护
使容易 在 驱动 switches
低 补偿 电压
低-电压 运作
高-速 电路
容易地 驱动 没有 缓存区
小 板 范围
驱动器: 接转, solenoids, lamps, hammers,
显示, memories, 晶体管, 等
电池 运作 系统
电源 供应 转换器 电路
固体的-状态 接转
标记 代号: d
顶 视图
3
1
D
2
G
2
S
1
52
4
6
D
1
S
2
G
1
sc-89
参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
–60
门-源 电压 V
GS
20
V
T
一个
= 25
C
–200 –190
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
–145 –135
搏动 流 电流
b
I
DM
–650
毫安
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
–450 –380
T
一个
= 25
C
280 250
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
145 130
mW
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
门-源 静电释放 比率 (hbm, 方法 3015) 静电释放 2000 V
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
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