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资料编号:607681
 
资料名称:SI2309DS
 
文件大小: 41.42K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2309DS
vishay siliconix
www.vishay.com
2-2
文档 号码: 70835
s-21339
rev. b, 05-8月-02
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
DS
= 0 v, i
D
= -250
一个 -60
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250
一个 -1
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20
V
100 nA
V
DS
= -48 v, v
GS
= 0 v -1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= -48 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C -50
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
-4.5 v, v
GS
= -10 v -6 一个
V
GS
= -10 v, i
D
= -1.25 一个 0.275 0.340
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= -4.5 v, i
D
= -1
一个
0.406 0.550
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= -4.5
v,I
D
= -1 一个
1.9 S
动态
b
总的 门 承担 Q
g
5.4 12
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= -30 v,
V
GS
= -10 v, i
D
= -1.25 一个
1.15
nC
门-流 承担 Q
gd
DS GS D
0.92
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
10.5 20
上升 时间 t
r
V
DD
= -30 v, r
L
= 30
11.5 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= -30 v, r
L
= 30
I
D
-1 一个, v
GEN
= -4.5 v, r
G
= 6
15.5 30
ns
下降 时间 t
f
7.5 15
源-流 比率 特性
b
S
-1.25
搏动 电流 I
SM
-8
一个
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= -1.25 一个, v
GS
= 0 v -0.82 -1.2 V
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= -1.25 一个, di/dt = 100 一个/
s 30 55 ns
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
1
2
3
4
5
6
012345
0
2
4
6
8
0246810
V
GS
= 10 thru 6 v
25
C
T
C
= -55
C
3 v
125
C
4 v
输出 特性 转移 特性
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
- 流 电流 (一个)I
D
V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
- 流 电流 (一个)I
D
1, 2 v
5 v
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