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资料编号:607681
 
资料名称:SI2309DS
 
文件大小: 41.42K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2309DS
vishay siliconix
www.vishay.com
2-4
文档 号码: 70835
s-21339
rev. b, 05-8月-02
典型 特性 (25
c 除非 指出)
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
0.01
0
1
6
12
2
4
10 5000.1
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
- 温度 (
c)
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
8
10
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
2
1
0.1
0.01
10
-3
10
-2
1 10 50010
-1
10
-4
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
100
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 130
c/w
3. t
JM
- t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
100
T
一个
= 25
C
safe 运行 范围, 接合面-至-包围的
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
- 流 电流 (一个)I
D
0.1
限制
用 r
ds(在)
ta = 25
C
单独的 脉冲波
10
s
100
s
1 ms
10 ms
100 ms
直流, 100 s, 10 s, 1 s
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