Si2306DS
vishay siliconix
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2
文档 号码: 70827
s-31873—rev.c, 15-sep-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
V
DS
= 0 v, i
D
= 250
一个 30
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 0.5
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C 10
一个
在 状态 流 电流
一个
I
d( )
V
DS
4.5 v, v
GS
= 10 v 6
一个在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
4.5 v, v
GS
= 4.5 v 4
一个
流 源 在 状态 阻抗
一个
r
V
GS
= 10 v, i
D
= 3.5 一个 0.046 0.057
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
=
2.8 一个
0.070 0.094
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 4.5 v, i
D
= 3.5 一个 6.9 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.25 一个, v
GS
= 0 v 0.8 1.2 V
动态
b
门 承担 Q
g
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 5 v, i
D
= 3.5 一个 4.2 7
总的 门 承担 Q
gt
8.5 20
nC
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 3.5 一个
1.9
nC
门-流 承担 Q
gd
DS
,
GS
,
D
1.35
门 阻抗 R
g
0.5 2.4
输入 电容 C
iss
555
输出 电容 C
oss
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v, f= 1 mhz
120
pF
反转 转移 电容 C
rss
DS
,
GS
,
60
p
切换
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
9 20
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
7.5 18
ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
17 35
ns
下降 时间 t
f
5.2 12
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
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