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资料编号:607694
资料名称:
SI2306DS
文件大小: 57.93K
说明
:
介绍
:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
100% r
g
测试
Si2306DS
vishay siliconix
文档
号码: 70827
s-31873—rev.
c, 15-sep-03
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品
SUMMARY
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
30
0.057 @ v
GS
= 10 v
3.5
30
0.094 @ v
GS
= 4.5 v
2.8
-
G
S
D
顶 视图
2
3
至-236
(sot-23)
1
si2306ds (a6)*
*marking 代号
订货 信息: si2306ds-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数
标识
限制
单位
流-源 电压
V
DS
30
V
门-源 电压
V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=
150
c)
一个,
b
T
一个
= 25
C
I
D
3.5
C
ontinuous dra
在
Curren
t
(t
J
=
150
c)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
2.8
一个
搏动 流 电流
I
DM
16
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
I
S
1.25
最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 25
C
P
D
1.25
W
最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
0.80
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围
T
J
, t
stg
-
55 至 150
C
热的
阻抗
比率
参数
标识
典型
最大
单位
最大 接合面
至
包围的
一个
t
5 秒
R
100
c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
130
c/w
注释
一个.
表面 挂载 在 fr4 板.
b.
t
5 秒.
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