Si2311DS
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 71813
s-05831
—
rev. 一个, 04-三月-02
限制
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
=
–
10
一个
–
8
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
–
250
一个
–
0.45
–
0.8
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
8 v
100 nA
V
DS
=
–
6.4 v, v
GS
= 0 v
–
1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
–
6.4 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C
–
10
一个
V
DS
–
5 v, v
GS
=
–
4.5 v
–
6
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
–
5 v, v
GS
=
–
2.5 v
–
3
一个
V
GS
=
–
4.5 v, i
D
=
–
3.5 一个 0.036 0.045
流-源 在-阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
–
2.5 v, i
D
=
–
3 一个 0.058 0.072
V
GS
=
–
1.8 v, i
D
=
–
0.7 一个 0.096 0.120
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
–
5 v, i
D
=
–
3.5 一个 9.0 S
二极管 向前 电压 V
SD
I
S
=
–
0.8 一个, v
GS
= 0 v
–
1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
8.5 12
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=
–
4 v, v
GS
=
–
4.5 v
I
D
–
3.5 一个
1.5
nC
门-流 承担 Q
gd
I
D
–
3.5 一个
2.1
输入 电容 C
iss
970
输出 电容 C
oss
V
DS
=
–
4 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz
485
pF
反转 转移 电容 C
rss
160
切换
b
t
d(在)
18 25
转变-在 时间
t
r
V
DD
=
–
4 v, r
L
= 4
45 65
t
d(止)
I
D
–
1.0 一个, v
GEN
=
–
4.5 v
R
G
= 6
40 60
ns
转变-止 时间
t
f
45 65
注释
一个. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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