首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:607709
 
资料名称:SI2311DS
 
文件大小: 41.72K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI2311DS的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号SI2311DS的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号SI2311DS的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2311DS
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71813
s-05831
rev. 一个, 04-三月-02
www.vishay.com
3


0
2
4
6
8
10
12
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
024681012
0
2
4
6
8
10
12
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0
2
4
6
8
0 2 4 6 8 10 12 14
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
50
25 0 25 50 75 100 125 150
0
250
500
750
1000
1250
1500
02468
V
GS
= 4.5 thru 2.5 v
25
C
T
C
=
55
C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 4 v
I
D
= 3.5 一个
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 3.5 一个
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 2.5 v
1, 0.5 v
125
C
1.5 v
输出 特性 转移 特性
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
电容 (pf)
V
GS
在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
c)
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 1.8 v
2 v
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com