TrenchFET
电源 场效应晶体管
2.5-v 比率 为 30-v n-频道
低 r
ds(在)
为 footprint 范围
li-lon 电池 保护
Si3434DV
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71610
s-03617—rev. 一个, 17-apr-01
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.034 @ v
GS
= 4.5 v 6.1
30
0.050 @ v
GS
= 2.5 v 5.0
(1, 2, 5, 6) d
(3) g
(4) s
n-频道 场效应晶体管
tsop-6
顶 视图
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
门-源 电压 V
GS
12
V
T
一个
= 25
C 6.1 4.6
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
4.9 3.6
搏动 流 电流 I
DM
30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.7 1.0
T
一个
= 25
C 2.0 1.14
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.3 0.73
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 典型 最大 单位
t
5 秒 40 62.5
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
90 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
25 30
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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