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资料编号:607786
 
资料名称:SI3434DV
 
文件大小: 38.9K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si3434DV
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71610
s-03617
rev. 一个, 17-apr-01
www.vishay.com
3


0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
30
1
源-流 二极管 向前 电压
V
SD
源-至-流 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
10
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
200
400
600
800
1000
1200
0 5 10 15 20 25 30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25 0 25 50 75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
0246810
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0 5 10 15 20 25 30
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 v
I
D
= 6.1 一个
I
D
流 电流 (一个)
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 6.1 一个
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
C
电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
接合面 温度 (
c)
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
012345
T
J
= 150
C
I
D
= 6.1 一个
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
门-至-源 电压 (v)
V
GS
= 2.5 v
T
J
= 25
C
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 2 一个
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