Vishay siliconix
额外的刺激 设备 模型 si3433bdv
规格 (t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况
Simulated
数据
量过的
数据
单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
−
250
µ
一个
0.80 v
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
=
−
5 v, v
GS
=
−
4.5 v
156 一个
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
5.6 一个
0.034 0.034
V
GS
=
−
2.5 v, i
D
=
−
4.8 一个
0.043 0.045
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
−
1.8 v, i
D
=
−
1 一个
0.055 0.060
Ω
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
−
5 v, i
D
=
−
5.6 一个
15 10 s
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
−
1.7 一个, v
GS
= 0 v
−
0.80
−
0.70
V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
11.6 12
门-源 承担 Q
gs
1.7 1.7
门-流 承担 Q
gd
V
DS
=
−
10 v, v
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
5.6 一个
3.5 3.5
nC
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
16 15
上升 时间 t
r
13 45
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
83 80
下降 时间 t
f
V
DD
=
−
10 v, r
L
= 10
Ω
I
D
≅
−
1 一个, v
GEN
=
−
4.5 v, r
G
= 6
Ω
9 60
ns
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 subject 至 生产 测试.
2
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文档 号码: 72188
s-50383
rev. b,21-毫安r-05
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