Vishay siliconix
额外的刺激 设备 模型 si3433bd
V
p-频道 1.8-v (g-s) 场效应晶体管
特性
•
p-频道 vertical dmos
•
macro 模型 (subcircuit 模型)
•
水平的 3 mos
•
应用 为 两个都 直线的 和 切换 应用
•
精确 在 这
−
55 至 125
°
c 温度 范围
•
模型 这 门 承担, 瞬时, 和 二极管 反转 恢复
特性
描述
这 连结 额外的刺激 模型 describes 这 典型 电的
特性 的 这 p-频道 vertical dmos. 这 subcircuit
模型 是 提取 和 优化 在 这
−
55 至 125
°
C
温度 范围 下面 这 pulsed 0-v 至 5-v 门 驱动. 这
saturated 输出 阻抗 是 最好的 合适 在 这 门 偏差 near 这
门槛 电压.
一个 novel 门-至-流 反馈 capacitance 网络 是 使用 至 模型
这 门 承担 特性 当avoiding convergence difficulties
的 这 切换 c
gd
模型. 所有 模型 参数 值 是 优化
至 提供 一个 最好的 合适 至 这 measured 电的 数据 和 是 不
将 作 一个 精确的 物理的 interpretation 的 这 设备.
subcircuit 模型 图式
这个 文档 是 将作 一个 额外的刺激 modeling 指导原则 和 做不 组成 一个 商业的 产品 数据 薄板. designers should 谈及 至 这 适合的
数据 薄板 的 这 一样 号码 for 有保证的 明确的ation 限制.
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www.visha
y.com
文档 号码: 72188
s-50383
rev. b,21-毫安r-05
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