Si3851DV
vishay siliconix
新 产品
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2-2
文档 号码: 70978
s-61845—rev. 一个, 11-oct-99
参数 设备 标识 典型 最大 单位
Ji Abi
t
5 秒
场效应晶体管
R
93 110
c/w
接合面-至-包围的
t
5秒
肖特基
R
thJA
103 125
c/w
接合面-至-包围的
稳步的 状态
场效应晶体管
R
thJA
130 150
c/wsteady 状态
肖特基 140 165
c/w
接合面-至-foot 稳步的 状态
场效应晶体管
R
thJF
75 90
接合面-至-foot 稳步的 状态
肖特基
R
thJF
80 95
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
一个 –1.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –24 v, v
GS
= 0 v –1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 75
C –10
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
–5 v, v
GS
= –10 v –5 一个
流 源 在 状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
= –10 v, i
D
= –1.8 一个 0.165 0.200
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= –4.5 v, i
D
=
–1.2 一个
0.298 0.360
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= –15 v, i
D
= –1.8 一个 2.4 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= –1.05 一个, v
GS
= 0 v –0.83 –1.10 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
V15VV5VI18A
2.4 3.6
C
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= –15 v,
V
GS
= –5 v, i
D
= –1.8 一个
0.9
nC
门-流 承担 Q
gd
0.8
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V15VR15
8 12
上升 时间 t
r
V
DD
= –15 v, r
L
= 15
I 1 一个 V 10 V R 6
12 18
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
DD
,
L
I
D
–1 一个, v
GEN
= –10 v, r
G
= 6
12 18
ns
下降 时间 t
f
7 11
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= –1.05 一个, di/dt = 100 一个/
s 30 60
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 漏出 V
F
I
F
= 0.5 一个 0.45 0.5
vforward 电压 漏出 V
F
I
F
= 0.5 一个, t
J
= 125
C 0.35 0.4
V
Mi R Lk C I
V
r
= 30 v 0.002 0.100
一个最大 反转 泄漏 电流 I
rm
V
r
= 30 v, t
J
= 75
C 0.06 1
毫安
V
r
= 30 v, t
J
= 125
C 1.5 10
接合面 电容 C
T
V
r
= 10 v
24 pF
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