Si3851DV
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 70978
s-61845—rev. 一个, 11-oct-99
www.vishay.com
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2-1
p-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
–30
0.200 @ v
GS
= –10 v
1.8
–30
0.360 @ v
GS
= –4.5 v
1.2
V
KA
(v)
V
f
(v)
二极管 向前 电压
I
F
(一个)
30 0.5 v @ 0.5 一个 0.5
K
一个
tsop-6
顶 视图
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
DG
n/cs
KA
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
参数 标识 5 秒 稳步的 状态 单位
流-源 电压 (场效应晶体管 和 肖特基) V
DS
–30
V
反转 电压 (肖特基) V
KA
30
V
门-源 电压 (场效应晶体管) V
GS
20
20
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c) (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
1.8
1.6
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150 c) (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
1.5
1.2
一个
搏动 流 电流 (场效应晶体管) I
DM
7
一个
持续的 源 电流 (场效应晶体管 二极管 传导)
一个
I
S
–1.05 –0.75
一个
平均 foward 电流 (肖特基) I
F
0.5
搏动 foward 电流 (肖特基) I
FM
7
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 25
C
P
1.15 0.83
W
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 70
C
P
D
0.73 0.53
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个
T
一个
= 25
C
P
D
1.0 0.76
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个
T
一个
= 70
C 0.64 0.48
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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