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资料编号:607847
 
资料名称:SI3430DV-T1
 
文件大小: 64.69K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si3430DV
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 71235
s-31725—rev.b, 18-8月-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 2 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 80 v, v
GS
= 0 v 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 80 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C 25
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
8 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10
v,I
D
= 2.4 一个
0.148 0.170
Dra在-源 在-状态Resistance
一个
r
ds(在)
V
GS
= 6.0 v, i
D
= 2.3 一个 0.160 0.185
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 2.4 一个 7 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.7 一个, v
GS
= 0 v 0.8 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
5.5 6.6
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 50 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 2.4 一个 1.5 nC
门-流 承担 Q
gd
1.4
门 阻抗 R
g
1 4
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
9 20
上升 时间 t
r
V
DD
= 50 v, r
L
= 50
11 20
ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 50 v,R
L
= 50
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
16 30
ns
下降 时间 t
f
9 20
门 阻抗 R
g
V
GS
= 0.1 v, f = 5 mhz 2.8
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s 50 80 ns
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计,不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
2
4
6
8
0123456
0
2
4
6
8
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V
GS
= 10 thru 6 v
T
C
= 125
C
-55
C
4 v
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
5 v
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