特性
高-效率 pwm 优化
100% r
g
测试
Si3430DV
vishay siliconix
文档号码: 71235
s-31725—rev.b, 18-8月-03
www.vishay.com
1
n-频道 100-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
100
0.170 @ v
GS
= 10 v 2.4
100
0.185 @ v
GS
= 6.0 v 2.3
(1, 2, 5, 6) d
(3) g
(4) s
n-频道 场效应晶体管
tsop-6
顶 视图
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
订货 信息: si3430dv-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
100
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
2.4 1.8
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
1.7 1.3
一个
搏动 流 电流 I
DM
8
一个
avalanche 电流
l = 0 1 mh
I
AR
6
repetitive 一个valanche 活力 (职责 循环
1%)
l = 0.1 mh
E
AR
1.8 mJ
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.7 1.0 一个
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.0 1.14
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
1.0 0.59
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
5 秒
R
45 62.5
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
90 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
25 30
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.