Si4133
4 rev. 1.1
电的 规格
表格 1. 推荐 运行 情况
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
包围的 温度 T
一个
–40 25 85 °C
供应 电压 V
DD
2.7 3.0 3.6 V
供应 电压 区别 V
∆
(v
DDR
– v
DDD
),
(v
DDI
– v
DDD
)
–0.3 — 0.3 V
便条:
所有 最小 和 最大 规格 是 有保证的 和 应用 横过 这 推荐 运行 情况.
典型 值 应用 在 名义上的 供应 电压 和 一个 运行 温度 的 25°c 除非 否则 陈述.
表格 2. 绝对 最大 比率
1,2
参数 标识 值 单位
直流 供应 电压 V
DD
–0.5 至 4.0 V
输入 电流
3
I
在
±10 毫安
输入 电压
3
V
在
–0.3 至 v
DD
+0.3 V
存储 温度 范围 T
STG
–55 至 150
o
C
注释:
1.
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 这 在之上 绝对 最大 比率 是 超过. 函数的 运作
应当 是 restricted 至 这 情况 作 指定 在 这 运算的 sections 的 这个 数据 薄板. 暴露 至 绝对
最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
2. 这个 设备 是 一个 高 效能 rf 整体的 电路 和 一个 静电释放 比率 的 < 2 kv. 处理 和 组装 的
这个 设备 应当 仅有的 是 完毕 在 静电释放-保护 workstations.
3.
为 信号 sclk, sdata, senb, pwdnb 和 xin.
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