Si7866DP
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 71848
s-21412
—
rev. b, 05-8月-02
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个
0.8 2.1 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
V
DS
= 16 v, v
GS
= 0 v 1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 16 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C
5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
30 一个
一个
V
GS
= 10
v,I
D
= 29 一个
0.0020 0.0025
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 25 一个 0.0026 0.00375
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 6 v, i
D
= 29 一个 95 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 4.5 一个, v
GS
= 0 v 0.68 1.1 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
40 60
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 10 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 29 一个
15
nC
门-流 承担 Q
gd
11
门 阻抗 R
g
1.2
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
70 100
上升 时间 t
r
V
DD
= 10 v, r
L
= 10
60 90
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 10 v, r
L
= 10
I
D
1 一个, v
GEN
= 4.5 v, r
G
= 6
105 160
ns
下降 时间 t
f
55 85
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2.9 一个, di/dt = 100 一个/
s
65 100
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
60
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
0
10
20
30
40
50
60
012345
V
GS
= 10 thru 3 v
25
C
T
C
= 125
C
-55
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
- 流 电流 (一个)I
D
V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
- 流 电流 (一个)I
D
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