Si7866DP
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71848
s-21412
—
rev. b, 05-8月-02
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0246810
0.000
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0 102030405060
0.0
1.2
2.4
3.6
4.8
6.0
0 1224364860
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
1600
3200
4800
6400
8000
0 4 8 12 16 20
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 v
I
D
= 29 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 29 一个
V
GS
= 4.5 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
- 门-至-源 电压 (v)
Q
g
- 总的 门 承担 (nc)
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
c - 电容 (pf)
V
GS
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
- 流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
- 接合面 温度 (
c)
(normalized)
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
1.0 1.2
1
10
60
0.00 0.2 0.4 0.6 0.8
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
源-流 二极管 向前 电压
V
SD
- 源-至-流 电压 (v)
- 源 电流 (一个)I
S
I
D
= 29 一个
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
V
GS
= 10 v
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