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资料编号:608258
 
资料名称:SI7450DP
 
文件大小: 48.65K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si7450DP
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71432
s-03475
rev. b, 16-apr-01
www.vishay.com
3


在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
500
1000
1500
2000
2500
0 40 80 120 160 200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
50
25 0 25 50 75 100 125 150
0
4
8
12
16
20
0 15304560
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0 8 16 24 32 40
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 100 v
I
D
= 4.0 一个
I
D
流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 4.0 一个
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
C
电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
接合面 温度 (
c)
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0246810
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 4.0 一个
50
10
1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
源-至-流 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
V
GS
= 6 v
V
GS
= 10 v
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