TrenchFET
电源 mosfets
新 低 热的 阻抗 powerpak
包装 和 低 1.07-mm profile
pwm 优化 为 快 切换
primary 一侧 转变 为 高 密度 直流/直流
电信/server 48-v 直流/直流
工业的 和 42-v automotive
Si7450DP
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71432
s-03475—rev. b, 16-apr-01
www.vishay.com
1
n-频道 200-v (d-s) 场效应晶体管
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
0.080 @ v
GS
= 10 v 5.3
200
0.090 @ v
GS
= 6 v 5.0
n-频道 场效应晶体管
G
D
S
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
6.15 mm
5.15 mm
PowerPAK
所以-8
bottom 视图
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
200
门-源 电压 V
GS
20
V
T
一个
= 25
C
5.3 3.2
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
4.3 2.6
搏动 流 电流 I
DM
40
一个
avalanche 电流 I
作
15
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
4.3 1.6
T
一个
= 25
C
5.2 1.9
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
3.3 1.2
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 典型 最大 单位
t
10 秒 19 24
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
52 65
c/w
最大 接合面-至-情况 (流) 稳步的 状态 R
thJC
1.5 1.8
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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