Si7336DP
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2
文档 号码: 72415
s-41795—rev. c, 04-oct-04
场效应晶体管 规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1.0 3.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C 5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
30 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10
v,I
D
= 25 一个
0.0026 0.00325
Dra在-源 在-状态Resistance
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 19 一个 0.0033 0.0042
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 25 一个 110 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 2.9 一个, v
GS
= 0 v 0.72 1.1 V
动态
b
输入 电容 C
iss
5600
输出 电容 C
oss
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 0 v, f = 1 mhz 860 pF
反转 转移 电容 C
rss
DS
,
GS
,
415
p
总的 门 承担 Q
g
36 50
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 20 一个 18 nC
门-流 承担 Q
gd
DS
,
GS
,
D
10
门 阻抗 R
g
0.8 1.3 2.0
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
24 35
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
16 25
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
g
= 6
90 140
ns
下降 时间 t
f
g
32 50
ns
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2.9 一个, di/dt = 100 一个/
s 45 70
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计,不 主题 至 生产 测试.
压力在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备.这些 是 压力 比率 仅有的, 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
60
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0
10
20
30
40
50
60
0246810
V
GS
= 10 thru 4 v
25
C
T
C
= 125
C
−
55
C
3 v
输出 特性 转移 特性
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
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