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Si7336DP
vishay siliconix
文档 号码:  72415
s-41795—rev. c, 04-oct-04
www.vishay.com
3
典型 特性 (25

c 除非 指出)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
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0.8
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1.2
1.4
1.6
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125 150
C
rss
V
DS
= 15 v
I
D
= 20 一个
V
GS
= 10 v
I
D
=  25 一个
V
GS
= 10 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
−
门-至-源 电压 (v)
Q
g
−
总的 门 承担 (nc)
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
C
−
电容 (pf)
V
GS
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
I
D
−
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
−
接合面 温度 (

c)
V
GS
= 4.5 v
1.0 1.2
0.000
0.003
0.006
0.009
0.012
0.015
0246810
0.1
10
50
I
D
= 25 一个
0.00 0.2 0.4 0.6 0.8
T
J
= 150

C
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
V
SD
−
源-至-流 电压 (v) V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
源 电流 (一个)I
S
C
oss
C
iss
1
T
J
= 25

C
r
ds(在)
−
在-resiistance
(normalized)

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Si7336DP vishay siliconix 文档号码: 72415 s-41795—rev. c, 04-oct-04 www.vishay.com 3 典型特性 (25  c 除非指出) 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 0 6 12 18 24 30 0.000 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0 1020304050 0 1 2 3 4 5 6 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 150 C rss V DS = 15 v I D = 20 一个 V GS = 10 v I D = 25 一个 V GS = 10 v 门承担在-阻抗 vs. 流电流 − 门-至-源电压 (v) Q g − 总的门承担 (nc) V DS − 流-至-源电压 (v) C − 电容 (pf) V GS − 在-阻抗 (r ds(在)  ) I D − 流电流 (一个) 电容在-阻抗 vs. 接合面 temperature T J − 接合面温度 (  c) V GS = 4.5 v 1.0 1.2 0.000 0.003 0.006 0.009 0.012 0.015 0246810 0.1 10 50 I D = 25 一个 0.00 0.2 0.4 0.6 0.8 T J = 150  C 源-流二极管向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压 − 在-阻抗 (r ds(在)  ) V SD − 源-至-流电压 (v) V GS − 门-至-源电压 (v) − 源电流 (一个)I S C oss C iss 1 T J = 25  C r ds(在) − 在-resiistance (normalized)

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