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rev. 7/16/03 sp6122 低 电压, 微观的 8, pfet, buck 控制 © 版权 2003 sipex 公司
v(v
cc)
时间
PDRV
电压
- v(v
二极管
)
0V
SWN
电压
v(v
cc)
= v
在
0 v
门 驱动器 测试 情况
10 %
90 %
5 v
F所有 时间
上升 时间
10 %
90 %
PDRV
在 电流 保护
在 电流 保护 在 这 sp6122 是
执行 通过 发现 的 一个 ex-
cess 电压 情况 横过 这 pfet
转变 在 传导. 这个 是 典型地
涉及 至 作 高 一侧 r
ds(在)
发现.
这 在 电流 比较器 charges 一个
抽样 电容 各自 时间 v(i
设置
) –
v(i
SENSE
) 超过 150mv (典型值) 和 这
pdrv 电压 是 低. 这 释放 cur-
rent/承担 电流 比率 在 这 抽样
电容 是 关于 2%. 因此, 提供
那 这 在 电流 情况 persists, 这
电容 电压 将 是 pumped 向上 在
各自 时间 pdrv switches 低 和 这个
电压 将 触发 一个 在 电流 情况
在之上 reaching 一个 cmos 反相器 门槛.
那里 是 许多 有利因素 至 这个 ap-
proach. 第一, 这 过滤 action 的 这 gated
s/h scheme 保护 相反 false 触发-
ing 在 一个 瞬时 加载 情况 或者 sup-
ply 线条 噪音. 在 增加, 这 总的 数量
的 时间 至 触发 这 故障 取决于 在 这
在-时间 的 这 pfet 转变. ten, 1
µ
s 脉冲
是 相等的 至 twenty, 500ns 脉冲 或者
一个, 1
µ
s 脉冲波, 不管怎样, 取决于 在 这
时期, 各自 scenario takes 一个 不同的
数量 的 总的 时间 至 触发 一个 故障. 那里-
fore, 这 故障 变为 一个 指示信号 的 aver-
age 电源 在 这 pfet 转变. 也, 是-
导致 这 cmos trip 门槛 是 depen-
dent 在 v
CC
, 这 在 电流 scheme 是
保护 相反 false triggering 预定的 至
改变 在 线条 电压.
虽然 这 150mv 门槛 是 fixed, 这
整体的 r
ds(在)
发现 电压 能 是
增加 用 放置 一个 电阻 从 i
设置
至
V
CC
. 一个 20
µ
一个 下沉 电流 programs 这
额外的 电压.
这 150 mv 门槛 和 20
µ
一个 i
设置
cur-
rent 有 3800 ppm/
°
c 和 4300 ppm/
°
C
温度 coefficients, 各自.
这些 tc’s 是 设计 在 这 sp6122
在 一个 努力 至 相一致 这 热的 character-
istics 的 这 pfet 转变. 它 assumed 那
这 sp6122 将 是 使用 在 紧凑的 设计
在哪里 那里 是 一个 高 数量 的 热的
连接 在 这 pfet 和 这 con-
troller.
明亮的 加载 运作
一个 的 这 有利因素 的 这 sp6122 迷你-
mum 在-时间 控制 scheme 是 这 循环’s
能力 至 seamlessly 和 efficiently transi-
tion 从 重的 负载 至 明亮的 负载. 在 大多数
其它 控制 schemes, 这 控制 是 非-
tified 关于 一个 明亮的 加载 情况 和 然后
必须 abruptly 改变 控制 schemes 在
顺序 至 维持 效率. 这 sp6122
simply 减少 这 频率 当 这
平均 加载 电流 是 较少 比 这 aver-
age inductor 波纹 电流. 作 一个 结果,
切换 丧失 减少 作 这 加载 cur-
rent 减少 和 整体的 效率 是
maintained.
输出 驱动器
这 驱动器 平台 组成 的 一个 高 一侧, 4
ohm pfet 驱动器. 这 下列的 波形
illustrate 基本 行为 的 这 驱动器.
theory 的 运作: 持续
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