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资料编号:619935
资料名称:
SPB70N10L
文件大小: 514.21K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power-Transistor
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2001-08-24
页 7
初步的 数据
SPI70N10L
spp70n10l,spb70n10l
13 典型值 avalanche 活力
E
作
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 70 一个 ,
V
DD
= 25 v,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
mJ
700
E
作
14 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
门
)
参数:
I
D
= 70 一个 搏动
0
40
80
120
160
200
nC
280
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP70N10L
V
GS
0,8
V
ds 最大值
ds 最大值
V
0,2
15 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
V
120
SPP70N10L
V
(br)dss
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