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资料编号:619935
 
资料名称:SPB70N10L
 
文件大小: 514.21K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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2001-08-24
页 7
初步的 数据
SPI70N10L
spp70n10l,spb70n10l
13 典型值 avalanche 活力
E
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 70 一个 ,
V
DD
= 25 v,
R
GS
= 25
25 45 65 85 105 125 145
°C
185
T
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
mJ
700
E
14 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
)
参数:
I
D
= 70 一个 搏动
0 40 80 120 160 200
nC
280
Q
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP70N10L
V
GS
0,8
V
ds 最大值
ds 最大值
V
0,2
15 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 140
°C
200
T
j
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
V
120
SPP70N10L
V
(br)dss
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