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资料编号:619935
资料名称:
SPB70N10L
文件大小: 514.21K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power-Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2001-08-24
页 3
初步的 数据
SPI70N10L
spp70n10l,spb70n10l
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识
情况
值
单位
最小值
典型值
最大值
动态 特性
跨导
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=50A
30
65
-
S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
f
=1MHz
-
3630
4540
pF
输出 电容
C
oss
-
640
800
反转 转移 电容
C
rss
-
345
430
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=50v,
V
GS
=4.5v,
I
D
=70a,
R
G
=1.3
-
70
105
ns
上升 时间
t
r
-
250
375
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-
250
375
下降 时间
t
f
-
95
145
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=80v,
I
D
=70A
-
10
15
nC
门 至 流 承担
Q
gd
-
34
51
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=80v,
I
D
=70a,
V
GS
=0 至 10v
-
160
240
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=80v,
I
D
=70A
-
3.22
-
V
反转 二极管
inverse 二极管 持续的
向前 电流
I
S
T
C
=25°C
-
-
70
一个
inverse 二极管 直接 电流,
搏动
I
SM
-
-
280
inverse 二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=0v,
I
F
=140A
-
1.2
1.8
V
反转 恢复 时间
t
rr
V
R
=50v,
I
F
=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100a/µs
-
100
150
ns
反转 恢复 承担
Q
rr
-
600
900
nC
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