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资料编号:620732
 
资料名称:SPP06N80C3
 
文件大小: 254.15K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2003-07-02
页 6
SPP06N80C3
SPA06N80C3
最终 数据
5 瞬时 热的 阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-1
s
t
p
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
d = 0.5
d = 0.2
d = 0.1
d = 0.05
d = 0.02
d = 0.01
单独的 脉冲波
6 瞬时 热的 阻抗 fullpak
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
t
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
1
s
t
p
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
d = 0.5
d = 0.2
d = 0.1
d = 0.05
d = 0.02
d = 0.01
单独的 脉冲波
7 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0 5 10 15 20
V
30
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一个
20
I
D
5V
6V
7V
8V
20V
10V
8 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0 5 10 15 20
V
30
V
DS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
一个
11
I
D
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
7V
20V
10V
8V
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