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资料编号:620732
 
资料名称:SPP06N80C3
 
文件大小: 254.15K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2003-07-02
页 7
SPP06N80C3
SPA06N80C3
最终 数据
9 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0 2 4 6 8
一个
11
I
D
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
5
R
ds(在)
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
7V
8V
10V
20V
10 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 3.8 一个,
V
GS
= 10 v
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
SPP06N80C3
R
ds(在)
典型值
98%
11 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0 2 4 6 8 10 12 14 16
V
20
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一个
20
I
D
25°C
150°C
12 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
)
参数:
I
D
= 6 一个 搏动
0 5 10 15 20 25 30 35 40
nC
50
Q
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP06N80C3
V
GS
0,8
V
ds 最大值
ds 最大值
V
0,2
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