关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:620732
资料名称:
SPP06N80C3
文件大小: 254.15K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
10
11
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-07-02
页 7
SPP06N80C3
SPA06N80C3
最终 数据
9 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0
2
4
6
8
一个
11
I
D
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Ω
5
R
ds(在)
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
7V
8V
10V
20V
10 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 3.8 一个,
V
GS
= 10 v
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Ω
5.5
SPP06N80C3
R
ds(在)
典型值
98%
11 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一个
20
I
D
25°C
150°C
12 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
门
)
参数:
I
D
= 6 一个 搏动
0
5
10
15
20
25
30
35
40
nC
50
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP06N80C3
V
GS
0,8
V
ds 最大值
ds 最大值
V
0,2
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com