数据 薄板
4 mbit superflash 可擦可编程只读存储器
sst28sf040a / sst28vf040a
5
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71077-04-000 6/01 310
图示 2: P
在
一个
SSIGNMENTS
为
32-
含铅的
TSOP
图示 3: P
在
一个
SSIGNMENTS
为
32-
管脚
PDIP
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
DD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
310 ill f01.2
标准 引脚
顶 视图
消逝 向上
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-管脚
PDIP
顶 视图
310 ill f19.0
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
WE#
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
表格 2: P
在
D
ESCRIPTION
标识 管脚 名字 功能
一个
18
-一个
8
行 地址 输入 至 提供 记忆 地址. 行 地址 定义 一个 sector.
一个
7
-一个
0
column 地址 输入 选择 这 字节 在里面 这 sector
DQ
7
-dq
0
数据 输入/输出 至 输出 数据 在 读 循环 和 receive 输入 数据 在 写 循环.
数据 是 内部 latched 在 一个 写 循环.
这 输出 是 在 触发-状态 当 oe# 或者 ce# 是 高.
CE# 碎片 使能 至 活动 这 设备 当 ce# 是 低.
1
OE# 输出 使能 至 门 这 数据 输出 缓存区.
WE# 写 使能 至 控制 这 写 行动.
1
V
DD
电源 供应 至 提供: 5.0v 供应 (±10%) 为 sst28sf040a
2.7v 供应 (2.7-3.6v) 为 sst28vf040a
V
SS
地面
t2.2 310
1. 这个 管脚 是 内部 拉-向上 和 一个 电阻.