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数据 薄板
4 mbit superflash 可擦可编程只读存储器
sst28sf040a / sst28vf040a
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71077-04-000 6/01 310
表格 6: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
为
SST28SF040A
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
电源 供应 电流 地址 输入=v
IL
/v
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值,
V
DD
=V
DD
最大值
读 32 毫安 CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
, 所有 i/os 打开
程序 和 擦掉 40 毫安 CE#=WE#=V
IL
, oe#=v
IH
, v
DD
=V
DD
最大值
I
SB1
备用物品 v
DD
电流
(ttl 输入)
3mACE#=V
IH
, v
DD
=V
DD
最大值
I
SB2
备用物品 v
DD
电流
(cmos 输入)
20 µA CE#=V
DD
-0.3v, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 2.0 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.4 V I
OL
=2.1 毫安, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 2.4 V I
OH
=-400 µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
H
supervoltage 为 一个
9
11.6 12.4 V CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
I
H
supervoltage 电流 为 一个
9
200 µA CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
, 一个
9
=V
H
最大值
t6.4 310
表格 7: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
为
SST28VF040A
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
电源 供应 电流 地址 输入=v
IL
/v
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值,
V
DD
=V
DD
最大值
读 10 毫安 CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
, 所有 i/os 打开
程序 和 擦掉 25 毫安 CE#=WE#=V
IL
, oe#=v
IH
, v
DD
=V
DD
最大值
I
SB2
备用物品 v
DD
电流
(cmos 输入)
20 µA CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3v, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 2.0 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.4 V I
OL
=100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 2.4 V I
OH
=-100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
H
supervoltage 为 一个
9
11.6 12.4 V CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
I
H
supervoltage 电流 为 一个
9
200 µA CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
, 一个
9
=V
H
最大值
t7.4 310