umt2222a / sst2222a / mmst2222a / pn2222a
晶体管
1 10 100 1000
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
根基 发射级 电压 : v
是(在)
(v)
集电级 电流 : ic(毫安)
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
图.7 grounded 发射级 传播
特性
1.0
10 100 1000
100
1000
10
转变 在 时间 : ton
(ns)
集电级 电流 : ic(毫安)
Ta
=
25
°
C
I
C
/ i
B
=
10
V
CC
=
30V
10V
图.8 转变-在 时间 vs. 集电级
电流
1.0
10 100 1000
100
500
5
10
上升 时间 : tr
(ns)
集电级 电流 : ic
(毫安)
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
30V
I
C
/ i
B
=
10
图.9 上升 时间 vs. 集电级
电流
1.0
10 100 1000
100
1000
10
存储 时间 : ts
(ns)
集电级 电流 : ic
(毫安)
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
30V
I
C
=
10I
B1
=
10I
B2
图.10 存储 时间 vs. 集电级
电流
1.0
10 100 1000
100
1000
10
下降 时间 : tf(ns)
集电级 电流 : ic
(毫安)
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
30V
I
C
=
10I
B1
=
10I
B2
图.11 下降 时间 vs. 集电级
电流
0.1
1.0 10 100
10
100
1
电容
(pf)
反转 偏差 电压
(v)
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
Cib
Cob
图.12 输入 / 输出 电容
vs. 电压
1
10 100 1000
10
1
100
0.1
集电级-发射级 电压 : v
CE
(v)
集电级 电流 : ic
(毫安)
Ta
=
25
°
C
100MHz
200MHz
250MHz 300MHz
250MHz
图.13 增益 带宽 产品
1.0
10 100 1000
100
1000
10
电流 增益-带宽 产品
(mhz)
集电级 电流 : ic
(毫安)
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
图.14 增益 带宽 产品
vs. 集电级 电流