umt2222a / sst2222a / mmst2222a / pn2222a
晶体管
npn 中等 电源 晶体管 (切换)
umt2222a / sst2222a / mmst2222a / pn2222a
!
特性
1) BV
CEO
>
40v (i
C
=
10ma)
2) complements 这 umt2907a / sst2907a
/ mmst2907a / pn2907a.
!
包装, 标记, 和 包装 规格
部分 非.
UMT2222A
UMT3
R1P
T106
3000
SST2222A
SST3
R1P
T116
3000
MMST2222A
SMT3
R1P
T146
3000
PN2222A
至-92
−
T93
3000
包装 类型
标记
代号
基本 订货 单位
(片)
!
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
参数
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Tj
Tstg
限制
75
40
6
0.6
0.35
150
−
55
∼ +
150
单位
V
V
V
一个
W
W
W
P
C
0.2
0.625
SST2222A
umt2222a,sst2222a,
MMST2222A
PN2222A
°
C
°
C
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
∗
∗
当 挂载 在 一个 7 x 5 x 0.6 mm 陶瓷的 板
!
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : umt3
eiaj : sc-70
(1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
rohm : sst3
(1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
rohm : smt3
eiaj : sc-59
(1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
rohm : 至-92
eiaj : sc-43
(1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
UMT2222A
SST2222A
MMST2222A
PN2222A
0
∼
0.1
0.2min.
2.4
±
0.2
1.3
0.95
0.45
±
0.1
0.15
0.4
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95
0.95
+
0.2
−
0.1
−
0.1
+
0.2
+
0.1
−
0.06
+
0.1
−
0.05
(2)
(1)
(3)
0
∼
0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3
∼
0.6
1.1
0.8
±
0.1
0.15
0.4
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95
0.95
+
0.2
−
0.1
−
0.1
+
0.2
+
0.1
−
0.06
+
0.1
−
0.05
(2)
(1)
(3)
0
∼
0.1
(2)(1)
(3)
0.1
∼
0.4
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.9
±
0.1
0.2
0.7
±
0.1
0.15
±
0.05
0.3
2.0
±
0.2
1.3
±
0.1
0.65 0.65
+
0.1
−
0
4.8
±
0.2
(12.7min.)
2.5min.
4.8
±
0.2
3.7
±
0.2
5
0.45
2.3
0.5
±
0.1
−
0.05
+
0.15
2.5
+
0.3
−
0.1
(1)
(2) (3)
所有 terminals 有 一样 维度
所有 terminals 有 一样 维度
所有 terminals 有 一样 维度
!
电的 特性
(ta = 25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
75
40
6
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
100
100
V
V
V
nA
nA
I
C
=
10
µ
一个
I
C
=
10mA
I
E
=
10
µ
一个
V
CB
=
60V
V
EB
=
3V
−−
2
V
是(sat)
0.6
−
1.2
V
−−
1I
C
/i
B
=
500ma/50ma
V
ce(sat)
−−
0.3
V
I
C
/i
B
=
150ma/15ma
I
C
/i
B
=
500ma/50ma
I
C
/i
B
=
150ma/15ma
40
−−
50
−−
−
h
FE
75
−−
50
−−
35
−−
V
CE
=
10v , i
C
=
0.1ma
V
CE
=
10v , i
C
=
1
毫安
V
CE
=
10v , i
C
=
10mA
V
CE
=
1v , i
C
=
150mA
100
−
300 V
CE
=
10v , i
C
=
150mA
V
CE
=
10v , i
C
=
500mA
f
T
Cob
300
−
−
−
−
8
MHz
pF
V
CE
=
20v , i
C
=−
20ma, f
=
100MHz
V
CB
=
10v , f
=
100kHz
Cib
−−
25 pF
V
EB
=
0.5v , f
=
100kHz
td
−−
10 ns
V
CC
=
30v , v
是(止)
=
0.5v , i
C
=
150ma , i
B1
=
15mA
V
CC
=
30v , v
是(止)
=
0.5v , i
C
=
150ma , i
B1
=
15mA
tr
−−
25 ns
tstg
−−
225 ns
V
CC
=
30v , i
C
=
150ma , i
B1
=−
I
B2
=
15mA
V
CC
=
30v , i
C
=
150ma , i
B1
=−
I
B2
=
15mA
tf
−−
60 ns
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
直流 电流 转移 比率
转变 频率
输出 电容
发射级 输入 电容
延迟 时间
上升 时间
存储 时间
下降 时间
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