首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:625761
 
资料名称:STB21NM50N-1
 
文件大小: 633.74K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号STB21NM50N-1的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号STB21NM50N-1的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号STB21NM50N-1的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号STB21NM50N-1的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号STB21NM50N-1的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号STB21NM50N-1的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号STB21NM50N-1的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号STB21NM50N-1的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
stp21nm50n - stf21nm50n - stb21nm50n - stb21nm50n-1 - stw21nm50n
2/16
表格 3: 绝对 最大 比率
(
)
脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
(*) 限制 仅有的 用 最大 温度 允许
(1) i
SD
18 一个, di/dt
400 一个/µs, v
DD
=80%
V
(br)dss
表格 4: 热的 数据
表格 5: avalanche 特性
标识 参数 Value 单位
至-220 / d
2
PAK/ i
2
PAK
/ 至-247
至-220fp
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0) 500 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
) 500 V
V
GS
门- 源 电压 ±25 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 25°c
18 18 (*) 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 100°c
11 11(*) 一个
I
DM
(
)
流 电流 (搏动) 72 72 (*) 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
140 30 W
减额 因素 1.12 0.23 w/°c
dv/dt(1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 15 v/ns
Viso 绝缘 winthstand 电压 (直流) -- 2500 V
T
stg
存储 温度
–55 至 150
150
°C
T
j
最大值 运行 接合面 温度
至-220 / d²pak / i²pak
/ 至-247
至-220fp
rthj-情况 热的 阻抗 接合面-情况 最大值 0.89 4.21 °c/w
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的 最大值 62.5 °c/w
T
l
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的
300 °C
标识 参数 最大值 值 单位
I
avalanche 电流, repetitive 或者 不-repetitive
(脉冲波 宽度 限制 用 t
j
最大值)
9 一个
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(开始 t
j
= 25 °c, i
D
= i
AR
, v
DD
= 50 v)
480 mJ
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com