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资料编号:625761
 
资料名称:STB21NM50N-1
 
文件大小: 633.74K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
 
 


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stp21nm50n - stf21nm50n - stb21nm50n - stb21nm50n-1 - stw21nm50n
电的 特性
(t
情况
=25°c 除非 否则 指定)
表格 6:开关
(2) 典型的 值 在 转变 止 在 inductive 加载
表格 7: 动态
(*) c
oss eq.
是 定义 作 一个 常量 相等的 电容 给 这 一样 charging 时间 作 c
oss
当 v
DS
增加 从 0 至 80% v
DSS
表格 8: 源 流 二极管
便条: 1. 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
标识 参数 测试 情况 Value 单位
最小值 Typ . 最大值
V
(br)dss
流-源
损坏 电压
I
D
= 1ma, v
GS
= 0 500 V
dv/dt(2) 流 源 电压
斜度
vdd=400v, id=25a, vgs=10v 44 v/ns
I
DSS
零 门 电压
流 电流 (v
GS
= 0)
V
DS
= 最大值 比率
V
DS
= 最大值 比率
T
C
= 125 °c
1
10
µA
µA
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
= 0)
V
GS
= ± 20v 100 nA
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa 2 3 4 V
R
ds(在)
静态的 流-源 在
阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 9 一个 0.150 0.190
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值. 最大值 单位
g
fs
(1) 向前 跨导 V
DS
= 15 v
,
I
D
= 9 一个
12 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 电容
反转 转移
电容
V
DS
= 25v, f = 1 mhz, v
GS
= 0 1950
420
60
pF
pF
pF
C
oss eq.
(*) 相等的 输出
电容
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 400v 270 pF
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
转变-在 延迟 时间
上升 时间
止-voltagerise 时间
下降 时间
V
DD
=250 v, i
D
= 9 一个
R
G
=4.7
V
GS
= 10 v
(看 图示 18)
22
18
90
30
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 承担
V
DD
= 400v, i
D
= 18 一个,
V
GS
= 10v,
(看 图示 21)
65
10
30
nC
nC
nC
R
g
门 输入 阻抗 f=1mhz 门 直流 偏差=0
测试 信号 水平的=20mv
打开 流
1.6
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值. 最大值 单位
I
SD
I
SDM
源-流 电流
源-流 电流 (搏动)
18
72
一个
一个
V
SD
(1)
向前 在 电压
I
SD
= 18 一个, v
GS
= 0
1.5 V
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 18 一个, di/dt = 100 一个/µs
V
DD
= 100 v, t
j
= 25°c
(看 图示 19)
360
5
27
ns
µC
一个
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 18a, di/dt = 100 一个/µs
V
DD
= 100 v, t
j
= 150°c
(看 图示 19)
640
6.5
27
ns
µC
一个
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