STD16NE10
N - 频道 100V - 0.07
Ω
- 16A - ipak/dpak
STripFET
场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 0.07
Ω
■
EXCEPTIONAL dv/dt 能力
■
AVALANCHE 坚毅的 技术
■
100% AVALANCHE 测试
■
应用 朝向
描绘
■
throug-孔 IPAK (至-251) 电源
包装 在 TUBE (后缀 ”-1”)
■
表面-挂载 DPAK (至-252)
电源 包装 在 录音带 &放大; 卷轴
(后缀 ”t4”)
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的
sgs-thomson 唯一的 ”Single 特性 大小
”
strip-为基础 处理.这 结果 晶体管
显示 极其 高 包装 密度 为 低 在-
阻抗, 坚毅的 avalanche 特性 和
较少 核心的 排成直线 步伐 因此 一个 remark-
能 制造 reproducibility.
产品
■
直流 发动机 控制 (disk 驱动器,等.)
■
直流-直流 &放大; 直流-acconverters
■
同步的 整流
内部的 图式 图解
绝对 最大 比率
标识 参数 值 Unit
V
DS
流-源 Voltage (v
GS
=0) 100 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
100 V
V
GS
Gate-source 电压
±
20 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=25
o
C16A
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=100
o
C11A
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 64 一个
P
tot
Total 消耗 在 T
c
=25
o
C50W
减额 因素 0.33 w/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 Recovery voltage 斜度 7 v/ns
T
stg
存储 Temperature -65 至 175
o
C
T
j
最大值. Operating 接合面 Temperature 175
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
)i
SD
≤
16 一个, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,t
j
≤
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STD16NE10 100 V < 0.1
Ω
16 一个
July 1998
3
2
1
IPAK
至-251
(后缀 ”-1”)
1
3
DPAK
至-252
(后缀 ”t4”)
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