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资料编号:626200
 
资料名称:STD16NE10
 
文件大小: 88.74K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 16A - IPAK/DPAK STripFET MOSFET
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
热的 阻抗 Junction-情况 最大值
热的 阻抗 Junction-ambient 最大值
热的 阻抗 情况-下沉 Typ
Maximum 含铅的 Temperature Soldering 目的
3.0
100
1.5
275
o
c/W
oc/w
o
c/W
o
C
AVALANCHE 特性
Symbol 参数 最大值 Value Unit
I
AR
Avalanche 电流, Repetitive 或者 -repetitive
(脉冲波 宽度 限制 T
j
最大值,
δ
<1%)
16 一个
E
单独的 脉冲波 Avalanche 活力
(开始 T
j
=25
o
c, I
D
=I
AR
,v
DD
=30v)
75 mJ
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源
损坏 Voltage
I
D
=250
µ
AV
GS
=0
100 V
I
DSS
Gate 电压
电流 (v
GS
=0)
V
DS
=MaxRating
V
DS
=MaxRating T
c
=125
o
C
1
10
µ
一个
µ
一个
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
=0)
V
GS
=
±
20 V
±
100 nA
(
)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
gs(th)
门槛
电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250
µ
一个
234V
R
ds(在)
静态的 流-源
阻抗
V
GS
=10V I
D
=8A 0.07 0.1
I
d(on)
State 电流 V
DS
>i
d(在)
xR
ds(在)最大值
V
GS
=10V
16 一个
动态
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(
)向前
Transconductance
V
DS
>i
d(在)
xR
ds(在)最大值
I
D
=8 一个 5 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 Capacitance
反转 转移
电容
V
DS
=25V f=1MHz V
GS
= 0 1600
180
50
2100
250
70
pF
pF
pF
STD16NE10
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