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资料编号:627772
 
资料名称:SUD40N06-25L
 
文件大小: 72.11K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
 
 


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sud40n06-25l
vishay siliconix
文档 号码: 70264
s-57741—rev. g, 31-三月-98
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n-频道 60-v (d-s), 175
c 场效应晶体管, 逻辑 水平的
 
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
一个
60
0.022 @ v
GS
0.025 @ v
GS
= 4.5 v 30
至-252
SGD
顶 视图
流 连接 至 tab
顺序 号码:
sud40n06-25l
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
   

   
参数 标识 限制 单位
门-源 电压 V
GS
20 V
持续的 流 电流
(t
J
=175
c)
b
T
C
= 25
C
I
D
30
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
b
T
C
= 100
C
I
D
30
一个
搏动 流 电流 I
DM
100
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导) I
S
34
avalanche 电流 I
AR
34
repetitive avalanche 活力 (职责 循环
1%) l = 0.1 mh E
AR
58 mJ
最大 电源 消耗
T
C
= 25
C
P
D
75
wmaximum 电源 消耗
T
一个
= 25
C
P
D
1.4
b
, 2.5
c
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
  
参数 标识 限制 单位
最大 接合面-至-包围的
自由 空气, fr4 板 挂载
R
thJA
60
c/w
最大 接合面-至-包围的
自由 空气, vertical 挂载
R
thJA
110
c/w
最大 接合面-至-情况 R
thJC
2.0
注释:
一个. 包装 限制.
b. 自由 空气, vertical 挂载.
c. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板, t
10 秒.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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